华通芯电拟建设一条 6吋的碳化硅工艺生产线（可向下兼容 4吋晶圆）, 其中包含一些独特的生产工艺设备, 例如: 高温回火、高温离子注入、碳化硅片减薄及激光回火等技术，在碳化硅产品工艺上, 华通芯电可以提供 SBD (Schottky Barrier Diode) 和 MOSFET 工艺。
碳化硅为代表的第三代半导体材料在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面具有显着优势，进一步满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求。作为功率器件比硅基功率器件具有优越的电气性能。电力电子应用于快充、汽车、计算机、家电、电网、高铁、工业机器等。
依据客户的产品需求，提供先进制程技术，创造双赢。
